IT之家12月3日消息根据AnandTech的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
据报道,目前,长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
根据之前的报道,长鑫存储诞生于2016年,专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂。
免责声明:法制期刊网(www.fzqkw.com)本栏目发布信息,目的在于传播更多信息,丰富网络文化,稿件仅代表作者个人观点,与法制期刊网无关。其原创性以及中文陈述文字和文字内容未经本网证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本网不做任何保证或者承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。凡注明为其他媒体来源的信息,均为转载自其他媒体,转载并不代表本网赞同其观点,也不代表本网对其真实性负责。您若对该稿件由任何怀疑或质疑,请即徐州视窗联系,本网将迅速给您回应并做处理。
猜你喜欢